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长江的主要问题就是成本太高，政府出钱免费建厂都没法让他家产品有市场竞争力
估计没人觉得Xstacking这么疯狂的架构从设计之初就是为了冲高性能，现在想想这工艺估计是混合工艺制程遇到困难或者缺少模拟电路工程师搞出来的迁就产物：容量密度只比四大厂高不到10%，但是用了两倍的硅晶圆，一步可靠性未知的stacking-annealing，和被迫上的BEOL工艺（相当于两倍的CMOS电路光刻）
长江的设计逻辑就是CMOS驱动电路和3D存储层的生产完全分开，避免混合工艺产线，避免做困难的SEG或者CuA填充层。从另外三大厂的经验看来即使用CuA通常3D NAND存储层只会占用晶圆60%面积，而Xstacking除了tunnel via都可以作为有效存储面积，同时CMOS电路引线短，又没有CuA对CMOS电路设计的限制，意外导致长江的NAND性能非常高。但是两层300mm晶圆面对面贴合之后，所有金属层都被压在了中间，意味着长江需要把贴合后的晶圆打磨到极薄，然后打TSV做金属层（BEOL），这个即使在现在的业界看来都是杂技一般的操作：先不说打磨会不会影响到晶圆贴合，在如此大的孔密度做反向TSV，难度一点都不比上一步把布满0.1um间距的铜柱的300mm晶圆面对面贴起来来得简单，操作难度甚至超过给AMD的CPU贴3D cache（有观点认为长江是先打深孔然后贴合打磨的，但个人很怀疑这么密的孔能不能磨到10um；也有观点是先打磨做BEOL之后再贴合，但是10um厚的300mm晶圆和用过的冈本001一样软，这要靠气功操作吗）
即便是长江工艺遥遥领先，在经历了九九八十一种杂技操作之后良率依然有99%（业界平均70%），但是用了两倍的晶圆（考虑到密度优势就1.8x吧），过了三次光刻产线（就算中国工厂成本低吧只比业界高30%成本），那综合下来还是比业界平均成本高60%。可能是也正是这个原因，长江干脆不做第一方封测，所有晶圆不挑直接卖给下游封测厂，算是挽回一点成本劣势，但是这不就是玩灵车飘移吗？现在Micron 232L量产之后，长江128L性能领先的头衔也彻底摘帽了，长江176L至今还没看到有什么眉目（层数增高势必要求提高CMOS电路密度，Xstacking对CMOS密度要求更高，难不成NAND产线要DUV SAQP做1α工艺？四大厂现在NAND的logic部分也都做到10nm附近了），没准真没了......
（以上为个人非专业观点）