'시스템 반도체도 쌓는다'...삼성 GAA 수직 적층 개발 돌입
삼성전자 GAA 수직 적층 개념도
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3D GAA 트랜지스터 구조 혁신미세화 한계 극복…고성능 구현파운드리 사업부 연구개발 추진차세대 반도체 기술 주도권 확보
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25일 업계에 따르면 삼성전자는 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA(게이트올어라운드)'를 수직으로 쌓아올리는 R&D를 진행중인 것으로 파악됐다. 삼성전자 DS부문 반도체연구소와 파운드리 사업부에서 관련 R&D를 함께 추진하고 있다. 3D 구조를 차세대 GAA기술로 선택하고 본격적인 상용화를 위한 연구개발에 돌입한 것으로 풀이된다.GAA는 트랜지스터 핵심 구성요소인 채널 4개면을 게이트가 둘러싼 형태로, 기존 3개면이 접합된 핀펫(FinFET) 대비 고성능·저전력 반도체를 쉽게 구현할 수 있다. 삼…
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